作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。其主要特点如下：

•受保护的、集成闸极驱动控制，零闸极-源回路电感，可靠的高速2 MHz开关能力，以最大化提升应用的功率密度。
•快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。
•静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体管为零。
•650 V连续和800 V瞬时耐电压能力，有助于提升芯片在特殊应用条件下的鲁棒特性。
•易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4个引脚，加速客户设计。
•可调节的开启和关闭速度（dV/dt），简化EMI的规范要求。

2025年，纳微半导体的GaNSafe氮化镓功率芯片通过了AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。同时，国内头部一线车企也已采用纳微的GaNSafe氮化镓功率芯片，打造了全球首个商用的氮化镓车载充电机（OBC）。