CoolSiC™ MOSFET G2系列
产品特点
 开关损耗极低
 更大的最大VGS范围，-10V至+25V
 过载运行温度最高可达Tvj=200°C
 最大短路耐受时间2µs
 栅极阈值电压4.2V
应用价值
 更高的能源效率
 优化散热
 更高的功率密度
 新的稳健性性能
 高可靠性
 容易并联
竞争优势：
 性能增强：开关损耗更低，效率更高
 .XT互连技术：热阻更低，MOSFET温度更低
 市场上同类最佳的最低RDS(on）
 数据手册上保证的短路最大承受时间
 独特的坚固性
1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装
面对高母线电压应用进行了优化设计，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景，该系列产品的功率管脚加粗至2mm，使得器件能够承受更大的电流，背板回流焊的设计，提升了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。
CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 1200V 碳化硅模块 全新封装，业内首发
业内首发的1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy模块采用全新封装实现更低的功率损耗，同时，具备更高的工作虚拟结温，支持更长的系统寿命要求，为设备在恶劣环境下的长期稳定运行提供了有力保障。