2025年度全球电子成就奖 / 英飞凌科技股份公司 / EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V1.4mΩ 半桥模块
英飞凌科技股份公司
Infineon Technologies
长按二维码识别后,点右上角分享
EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V1.4mΩ 半桥模块
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块,增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚,还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构,用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统,通用电机驱动器,不间断电源(UPS),电动汽车充电等。

产品特点
 开关损耗低
 卓越的栅极氧化物可靠性
 更高的栅极阈值电压
 更高的功率输出
 坚固耐用的集成体二极管
 高宇宙射线稳健性
 高速开关模块
 Tvj(op)=175°C过载
 PressFIT引脚
 螺母功率端子
 集成NTC温度传感器
 隔离基板
应用价值
 开关频率高
 减少体积和尺寸
 降低系统成本
 热效率高

竞争优势
 高开关频率(>7kHz)
 针对高速电机进行了优化

应用领域
 商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)
 储能系统
 通用电机驱动器-变频和变压
 电机控制
 不间断电源(UPS)
 电动汽车充电
 制氢
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。