IIC Shenzhen - 2025国际集成电路展览会暨研讨会
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时间:2025年11月25-26日
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2025年度全球电子成就奖
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EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V1.4mΩ 半桥模块
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EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V1.4mΩ 半桥模块
成功入围,正在参加评选
2025年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
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英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块,增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚,还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构,用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统,通用电机驱动器,不间断电源(UPS),电动汽车充电等。
产品特点
开关损耗低
卓越的栅极氧化物可靠性
更高的栅极阈值电压
更高的功率输出
坚固耐用的集成体二极管
高宇宙射线稳健性
高速开关模块
Tvj(op)=175°C过载
PressFIT引脚
螺母功率端子
集成NTC温度传感器
隔离基板
应用价值
开关频率高
减少体积和尺寸
降低系统成本
热效率高
竞争优势
高开关频率(>7kHz)
针对高速电机进行了优化
应用领域
商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)
储能系统
通用电机驱动器-变频和变压
电机控制
不间断电源(UPS)
电动汽车充电
制氢
2025年度全球电子成就奖
时间:2025年11月25-26日
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