凭借 ST 工艺稳定,性能卓越的 HB2 系列 IGBT，这款新封装在绝缘的 TO3PF 中的产品可以帮助我们的 客户 降低组装成本。因此，这款 IGBT 适用于空调功率因数校正/焊接和其他电源应用。
*产品特点
• 最高结温：TJ = 175 °C
• 低VCE(sat) = 1.55 V（典型值）@ IC = 50 A
• 共封装保护二极管
• 最小尾电流
• 参数分布紧密
• 低热阻
• 正VCE(sat) 温度系数，易并联

*应用领域
• 焊接
• 功率因数校正

以下是主要优势和突出特点：

1. 高效率与低功耗损失
• 超快速沟槽栅™ IGBT 技术
• 针对低导通和开关损耗进行优化，提高高频应用中的效率
• 低 VCE（饱和电压）（典型值为 25°C 时 50A 电流下 1.55V），减少导通损耗
• 快速开关速度

2. 强大的热性能
• 低热阻(Rth JC= 1.59°C/W)
• 高效的散热，允许在不 overheating的情况下处理更高的功率
• 宽广的工作温度范围（-40°C 到 +175°C）
• 在恶劣环境下可靠的性能

3. 增强可靠性的综合特性
• 共同封装超快速二极管（反向并联二极管）
• 低反向恢复电荷（Qrr），降低感性负载应用（如电动机驱动）的开关损耗
• 在故障条件下提高了稳健性

4. 优化用于工业和汽车应用
• 高电流能力（连续50A，脉冲100A）
• 适用于高功率转换器、不间断电源（UPS）、焊接机和电动汽车充电系统
• 650V 击穿电压（V CES）

5. 紧凑易用的包装
• TO3PF封装
• 便于PCB安装和散热器附加的行业标准封装
• 适用于高振动环境的良好机械强度

总结：为什么选择STGFW50HP65FB2？
• 一流的效率（低V CE（饱和）+ 快速切换）
• 高可靠性（宽温范围，广泛认证的HB2 IGBT工艺平台）
• 集成二极管 简化设计