2025年度全球电子成就奖 / 英诺赛科 / 100V双面散热氮化镓功率器件
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100V双面散热氮化镓功率器件
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
主要特征:INN100EA035A是一款100V InnoGaN 功率器件,采用先进的双面散热 En-FCLGA 封装,具有低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及零反向恢复电荷等特点;
规格:100V/3.5mΩ,En-FCLGA3.3X3.3 封装;
应用领域:AI与48V电源领域(DCDC转换器,DCDC电源模块等)
主要优势:INN100EA035A采用先进的双面散热 En-FCLGA 封装,与传统的单冷却封装相比,导热率高出 65%;与传统的MOSFET方案相比,功率密度提升20%;与业界最先进的MOSFET相比,系统功率损耗可降低大于35%。
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