2025年度全球电子成就奖 / 东芯半导体股份有限公司 / 2Gb 3.3V SPI NAND Flash(DS35Q2GA-A1B)
东芯半导体股份有限公司
Dosilicon Co., Ltd.
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2Gb 3.3V SPI NAND Flash(DS35Q2GA-A1B)
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度存储类产品
规格:
密度/Density:2Gb
电压/Voltage: 3.3V
温度/Temperature: -40℃~125℃
速度/Speed: 104MHz
封装/Package: WSON 8x6

单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。不仅能满足常规应用场景,使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗,有效延长设备的待机时间,也更灵活地适用于不同应用场景,同时不断提高产品可靠性,温度从-40℃-125℃ ,将更适用于要求更为严苛的车规级应用环境。
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。