2025年度全球电子成就奖 / 美光科技 / 1γ (1-gamma) DRAM
美光科技
Micron Technology
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1γ (1-gamma) DRAM
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度存储类产品
作为业内首款量产出货的第六代(10 纳米级)DRAM 节点 DDR5 内存,美光 1γ DRAM是内存创新的重要里程碑。延续美光在 1α 和 1β节点的优势,1γ旨在满足 AI、云计算和智能端侧等快速增长的应用需求。主要特性包括:
• 提升AI性能:专为 AI 密集型计算优化,在数据中心、AI PC、移动设备和汽车平台中实现可扩展的性能。基于 1γ 的 DDR5 内存为数据中心提供高达 15% 的性能提升,支持下一代服务器架构。
• 提升能效:依托高 K 金属栅极 CMOS 技术和先进设计,1γ DRAM 降低功耗超20%,有效应对高密度计算的散热要求,并延长移动和端侧设备续航。
• 提升容量密度:通过EUV 光刻技术和制程创新,1γ节点的单片晶圆的容量密度产出较上代提升逾 30%,实现更卓越的内存供应扩展能力和成本效益。

美光 1γ DRAM适用场景广泛,包括:
• 数据中心:为 AI 训练与推理提供高吞吐量、高能效的 DDR5 内存,在严苛的功耗与散热限制下实现可扩展的服务器性能。
• 端侧 AI 与 AI PC:1γ 低功耗 DRAM 与 DDR5 SODIMM 带宽提高、功耗降低,从而提升响应速度及续航。
• 移动设备:1γ LPDDR5X 将先进 AI 能力引入智能手机,实现端侧的实时数据处理与更优体验。其封装尺寸缩小至领先的 0.61 毫米,较竞品薄 6%,较前代产品高度降低 14%,速率达10.7 Gbps,功耗降低高达 20%。
• 汽车系统:1γ LPDDR5X 速率高达 9.6 Gbps,支持自动驾驶与信息娱乐系统的高速数据处理,兼具高性能与长期可靠性。

作为首家出货该技术的厂商,美光 1γ DRAM 融合尖端光刻技术、卓越能效与性能可扩展性,助力 AI 创新,树立行业新标杆。
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