2025年度全球电子成就奖 / 兆易创新科技集团股份有限公司 / 兆易创新1Gb 高性能QSPI NAND Flash产品GD5F1GM9
兆易创新科技集团股份有限公司
GigaDevice Semiconductor Inc.
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兆易创新1Gb 高性能QSPI NAND Flash产品GD5F1GM9
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度存储类产品
GD5F1GM9产品是兆易创新的新一代高性能QSPI NAND Flash产品。该产品采用24nm工艺,支持内置8 bit ECC、3V和1.8V两种工作电压,以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式,为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND相比,GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了串行计算方式,实现复杂ECC算法的并行计算,这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz,在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz,在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。在同频率下,GD5F1GM9的读取速度是行业主流SPI NAND产品的2~3倍。
作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。
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