2025年度全球电子成就奖 / 普冉半导体(上海)股份有限公司 / NOR Flash 存储器芯片P25Q32SN
普冉半导体(上海)股份有限公司
Puya Semiconductor(Shanghai)Co., Ltd.
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NOR Flash 存储器芯片P25Q32SN
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度存储类产品
该系列产品是业界首家1.1V新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。具备1.05V~2V宽电压,实现了行业目前最低功耗6.5UJ/Mbit,较上一代自研16UJ/Mbit,相同电流下的功耗降低了38%,相同频率下的四线读取功耗降低了60%,有效延长了设备的续航时间。此外,最高时钟频率STR四线达104MHz,DTR四线达80MHz,拥有10万次擦写寿命,数据有效保存期限可达到20年;同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP等多种封装形式以及KGD for SiP,可充分满足下游客户多样化需求,实现产品性能和成本的更高度适配化。该产品配合主控SoC芯片更好的匹配新一代标准电压,在简化系统电源设计的同时,达到更低的功率消耗,为音频、图像等多模块SoC智能主控芯片提供必要的存储支持。
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。