英飞凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8 MOFET在全球高压超结MOSFET技术领域处于领先地位，为全球树立了技术和性价比的标准。该技术提高了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不间断电源（UPS） 等应用的整体系统性能，进一步推动了低碳化。

CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 的栅极电荷较CFD7降低了18%，较P7系列降低了33%。栅极电荷的降低减少了MOSFET 的栅极从关断状态（非导通）切换到导通状态（导通）所需的电荷，使系统更加节能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有更快的关断时间，其热性能较上一代产品提高了14%至42%。该产品集成快速体二极管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封装，适用于各种消费和工业应用。