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硅,碳化硅及氮化镓功率器件的对比

研讨会介绍

欢迎加入本在线研讨会,一起探讨硅,碳化硅及氮化镓功率器件在大功率和小功率应用中的技术定位。
通过本在线研讨会,与会者将获得:
1.最新的基于硅材料的超级结技术,碳化硅MOSFET及氮化镓高电子移动率晶体管的特性;
2.在600V/650V电压等级三者将长期共存;
3.以通信和服务器电源为例介绍他们的应用;
4.通过与最接近的硅材料功率半导体对比,宽禁带器件最合适应用的暨可以获得最佳收益的拓扑和控制策略。


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演讲嘉宾
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张建浩
高级主任工程师
张建浩分别于2000年、2003年及2009年获得香港理工大学电子信息工程学学士学位,硕士学位和博士学位。现主要研究功率因数校正开关稳压器,曾在射频功率放大器及开关式电源设计有过深入研究。张博士于2001年荣获IEEE 电力电子学会论文集奖最佳论文奖。张建浩博士于2009年加入英飞凌科技(香港)有限公司。现担任高级主任工程师一职。
公司介绍

英飞凌科技股份有限公司(总部位于德国纽必堡)致力于提供半导体和系统解决方案,为现代社会解决三大主要挑战:高能效、移动性和安全性。2014 财年(截至 9 月 30 日),公司的销售额达43 亿欧元,在全球范围内拥有约29,800 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。
如需了解更多详情,请访问:http://www.infineon.com/cms/cn

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