前段时间，昭和电工成功产出了8英寸SiC外延片（.点这里.）。最近，国外一家SiC公司也即将在不久后量产8英寸SiC衬底。更为重要的是，这家企业的长晶工艺源自林雪平大学，可将BPD缺陷降2000倍。9月12日，KISAB官网发布消息称，他们已经完成了750万欧元（约合人民币5260万元）融资，资金将用于扩大其无缺陷碳化硅衬底的生产。据了解，本轮融资由Fairpoint Capital领投，Industrifonden、LPE等现有投资者跟投。据Fairpoint Capital投资总监Hadar Cars介绍，“KISAB能够生长无缺陷的SiC衬底，同时也将于不久后量产无缺陷的8英寸SiC衬底。”公开资料显示，KISAB成立于2017年，总部位于瑞典斯德哥尔摩。根据官网，KISAB开发了可生产高质量碳化硅衬底的FSGP-M工艺（快速升华生长工艺）。据称该工艺可最大限度地减少衬底缺陷。据KISAB公司介绍，以往通过PVT法生长的6英寸SiC衬底中，BPD密度大约为2000 cm-2，与之相比，在同样尺寸下，FSGP-M可将BPD密度降至＜1cm-2。
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而且相比PVT，FSGP-M还有一个优势——可在低于2000℃的温度下生长。“行家说三代半”发现，FSGP工艺源自林雪平大学，是由Rositza Yakimova教授和Docent Mikael Syväjärvi副教授等人共同开发，他们还利用该工艺生产了用于太阳能电池和石墨烯的立方碳化硅。同时，KISAB还开发了一种CVD工艺，用于生产FSGP-M工艺中使用的源材料，可大幅降低制造高质量碳化硅衬底的成本。插播：更多全球SiC产业布局尽在《2021第三代半导体调研白皮书》，扫码可抢先阅读！
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