三代半导体分论坛
宽禁带半导体技术及在电源应用中的挑战
以SiC，GaN为代表的第三代半导体给客户带来更多的测试和应用挑战，本期论坛我们邀请到国内领先的三代半导体专家，分享SiC及GaN发展和应用。
另外，由于三代半导体器件的高速特性，它们应用于电源设计中时也带来了全新的挑战，泰克为您在基于SiC和GaN电源转换器设计各个阶段提供可靠的解决方案。
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碳化硅器件选型要点与国产碳化硅产业化之路
SiC MOSFET以优异的特性大幅提高了电源性能，但同时带了使用时的技术挑战。在器件选型阶段需要关注具体应用要求与器件重点参数的联系，可以为更好地使用SiC MOSFET奠定基础。
此外，国产碳化硅产业发展势头正旺，政府和投资机构密切关注，电源工程师也陷入了国产器件选择困难。了解国产器件发展现状、产业化模式、未来预期，将为广大行业相关人员提供参考。
GaN功率器件应用于高频电源的优势与挑战
电能的转换和利用离不开功率半导体，氮化镓具备更低的开关的损耗和更低的单位面积导通阻抗，能使能源的利用更高效，更节能，助力碳达峰和碳中和。与硅器件相比，氮化镓的高频特性提升了十倍以上，这将推动能源转换系统工作频率的提高，从而提升单位体积的能源转换功率，实现更高的功率密度。同时更高工作频率可以使系统的动态响应更快，能更好的匹配负载的动态需求。
氮化镓的应用前景广阔，将在消费电子，数据中心，新能源汽车，新能源发电与储能等领域发挥重要作用，做为新一代半导体，其产品测试评估、应用生态、应用系统设计、市场推广，带来了一些新的挑战，需要全产业链共同努力完善。
碳化硅功率器件高带宽精准动态特性测试表征及应用挑战
首先介绍碳化硅功率半导体器件高速开关特性引起的高带宽精准动态特性测试表征技术挑战与解决方案，其次介绍碳化硅功率半导体器件在高频电力电子系统中的应用要求、挑战，以及碳化硅功率半导体高性能封装、高速驱动、电磁干扰和系统集成等关键技术。
宽禁带半导体功率器件的双脉冲测试方案
宽禁带半导体技术现已广泛应用于电动汽车和光伏发电等领域，在功率转换和能源效率方面发挥着重要作用。宽禁带功率半导体器件的测试为了解器件（SiC/GaN）在各种工作条件下的动态开关行为提供了重要信息。本课程中，您将学习到如何有效测量SiC和GaN电力电子系统中的信号，我们将详细解释广泛用于动态评估开关性能的双脉冲测试（DPT）。
电力电子市场趋势
汽车电气化、绿色能源、数据中心和消费设备继续推动电力电子市场的创新和增长。加入我们，聆听市场研究和技术分析领导者 Yole Development 关于推动全球电力电子市场从半导体到终端市场产品增长的关键技术驱动因素和市场趋势的演讲。
储能技术在光伏行业的应用
在“碳中和、碳达峰”政策浪潮推动下，储能作为新能源发展最关键的环节，显得尤为重要。今天我们邀请到爱科赛博的技术专家朱方华为大家解析储能技术应用的发展方向，如何搭建光伏电站储能系统的测试平台及测试标准，欢迎大家交流。
精准测试助力解决SiC、GaN电源的开发测试难题
由于碳化硅、氮化镓器件的高速特性，它们应用于电源设计中时带来了全新的挑战，相当一部分原本在硅基时代通行无碍的测试手段开始失效，给产品开发设计工作造成不小的障碍。泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展，通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案，全面引入适合宽禁带半导体技术的测试方法，助推宽禁带半导体技术的进步。
如何优化电源转换器和电源设计？
电源是几乎所有类型的线路供电和电池供电电子产品不可或缺的一部分，开关电源 (SMPS) 已成为许多应用中的主导架构。
为确保 SMPS 设计的可靠性、稳定性、性能和合规性，设计工程师必须执行许多复杂的功率测量。了解诸如电能质量、谐波、磁滞和电感、效率和频率响应分析 (FRA) 等可帮助您发现设计挑战的关键测量。
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