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■目录
■系统应用需求
■步骤1_确定应用需求
■步骤2_根据应用需求选择反馈电路和偏置电压VB
■步骤3_确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX，并基于输入电压和PO选择输入存储电容CIN的容量
■步骤4_输入整流桥的选择
■步骤5_确定发射的输出电压VOR以及钳位稳压管电压VCLO
■步骤6_对应相应的工作模式及电流波形设定电流波形参数KP
■步骤7_根据VMIN和VOR确定DMAX
■步骤8_计算初级峰值电流IP、输入平均电流IAVG和初级RMS电流IRMS
■步骤9_基于AC输入电压，VO、PO以及效率选定MOS管芯片
■步骤10_设定外部限流点降低的ILIMIT降低因数KI
■步骤11_通过IP和ILIMIT的比较验证MOS芯片选择的正确性
■步骤12_计算功率开关管热阻选择散热片验证MOS芯片选择的正确性
■步骤13_计算初级电感量LP
■步骤14_选择磁芯和骨架，再从磁芯和骨架的数据手册中得到Ae，Le，Al和BW的参考值
■步骤16_计算次级绕组圈数Ns以及偏置绕组圈数NB
■步骤17_确定初级绕组线径参数OD、DIA、AWG
■步骤18_步骤23-检查Bm、CMA、以及lg。如果有必要可以通过改变L、Np或Ns磁芯/骨架的方法对其进行迭代，知道满足规定的范围
■步骤24 –确认Bp≤4200高斯。如有必要，减小限流点降低因数Ki
■步骤25 –计算次级峰值电流Isp
■步骤26 –计算次级RMS电流Irms
■步骤27 –确定次级绕组线径参数ODs、DIAs、AWGs
■步骤28 –确定输出电容的纹波电流Iripple
■步骤29 –确定次级及偏置绕组的最大峰值反向电压PIVs，PIVb
■步骤30 –参照表8，基于VOR及输出类型选择初级钳位电路中使用的钳位稳压管以及阻断二极管
■步骤31 –根据表9选择输出整流管
■步骤32 –输出电容的选择
■步骤33 –后级滤波器电感L和电容C的选择
■步骤34 –从表10选择偏置绕组的整流管
■步骤35 –偏置绕组电容的选择
■步骤36 –控制极引脚电容及串联电阻的选择
■步骤37 –根据图3、4、5及6中所示的参考反馈电路的类型，选用相应的反馈电路元件
■步骤38 –环路动态补偿设计
