12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓晶体。
8英寸VB法氧化镓晶体
氧化镓是第四代半导体领域代表性材料，因禁带宽度大、击穿场强高，在超高压功率器件领域具有重要应用价值。
上海市科委前瞻布局第四代半导体未来产业培育，瞄准氧化镓等主攻方向，发挥长三角地区创新链、产业链协同优势，坚持产品定位、产业导向，支持上海光机所联合富加镓业等开展“衬底-外延-器件-模组”全链条协同攻关，加速第四代半导体产业化进程。上海光机所作为国内较早从事氧化镓晶体研究的单位，在VB法方面，联合富加镓业大力发展提升关键装备制造、高精度模拟仿真、确定性热场设计三大核心技术。2024年7月在国内首次实现3英寸晶体制备，2024年12月成功制备4英寸晶体，2025年9月在国内首次实现6英寸晶体制备，2025年12月刷新国际VB法制备氧化镓晶体的最大尺寸纪录。与其他方法相比，VB法在制备氧化镓晶体方面具有多项显著优势，是实现大规模产业化的理想路径：生长过程无需使用铱金，大大降低生长成本；生长过程温度场均匀、温度梯度小，更易实现大尺寸、高质量氧化镓晶体的生长；可生长柱状晶体，有效提升材料制备效率；生长过程稳定，更适合自动、规模化生产。下一步，上海光机所、富加镓业将会同下游用户加快开展器件端对材料端的应用验证，持续迭代氧化镓材料及器件性能，全力推动氧化镓产业化应用。来源：上海科技
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