又踩厂商的雷了!1000多套板子要批量返工,说多了都是泪

原创 芯片之家 2022-05-05 12:15

者:旺旺,排版:晓宇

微信公众号:芯片之家(ID:chiphome-dy)

做出来跟做的好

前段时间群里有人找那个阻容降压的资料,阻容降压方案简单,便宜。老宇哥手把手教你分析阻容降压电路,你GET到了吗?但是 物料选型 还是有讲究的,做出来做的好还是很不一样的,做出来容易做好难。这个话题热心群友旺旺兄看到后,分享了他近期 遇到的坑,下面我们一起学习避坑。

又踩雷了

这次踩的可是 厂商埋的雷光这批量返工成本差不多八千块,还有一万五左右的成品及半成品要返工,到那时返工成本还得增加,哎!说多都是泪,大家直接看图1吧,就是下面这张QA验货开的异常单。

图1:QA异常单

大家看完异常单,是不是很想知道 损坏的电阻 在原理图哪个位置呢?这个电阻又 什么作用 呢?别急,以下两张图告诉你!

2:部分原理图


这是一个典型的 阻容降压 的电源电路,原理大家可以看之前详细介绍的一篇文章,关于R211电阻(上图2红框中)防浪涌冲击电阻。我司此产品设计此位电阻不需具备保险功能,当输出过载,RL201温度上升,达到F201熔断温度后断开即可达到保护之目的。


接下来大家看一下下面左图(标示金属皮膜的为QA验货测试损坏),能看出来两颗电阻有什么不同吗?其实我也看不出来有什么不同的了那就看下面右图吧,两颗电阻刮了表面涂层后,内部明显有很大区别,厂商回复为新员工对生产工艺流程认知不足造成失误,对于库存此料号电阻全部退回厂商,后续再重新交货,返工造成的损耗成本均由厂商买单的处理,厂商也认可。

3:金属皮膜跟绕线电阻的区别

实验再现:SURGE测试

测试标准:三种模式,L+N测试电压为±1000V;L+PE,N+PE测试电压为±2000V。各模式每个电压(±)分別打20次,每次20S;角度0°--270°,机台需能正常工作,且工作状态不能改变。

特指声明:以上SURGE测试标准仅代表我司实验室测试标准,大家不应以此作为自己产品测试标准依据,若以我司此标准测试,所造成的后果需自我承担。

现在以1/2W 100欧 R-MOF类型的电阻进行实机测试,以这个电阻测试的原因有三个:

1、1/2W 10欧 R-MOF类型的电阻(厂商失误引起的那颗电阻)曾经有测试,在不同的机种上,以L+N测试电压±1000V测试,一般30秒左右损坏,有的机甚至3秒内就损坏,在此不想再重复测试;

2、1/2W 10欧 R-MOF类型的电阻(厂商失误引起的那颗电阻)已全部退厂商;

3、1/2W 100欧 R-MOF类型的电阻在当初有客户委托生产的产品(别公司的产品)有用过,据客户市场部反馈,此电阻损坏较多,故在此进行下实验验证(因手头上无客户委托生产的产品,故只能以我司产品进行验证)。

备注:所测试产品无地线,L+PE,N+PE测试电压为±2000V免测

4:SURGE测试电阻损坏

5:客户的BOM


经以L+N测试电压为±1000V标准测试,均可通过,为检验此电阻耐受性,把测试电压调高一倍,-2000V可通过,+2000V约35秒即损坏,具体可看以下影像资料(负载灯熄灭时,电阻已损坏,可看图4)

因1/2W 47欧 R-KNP类型的电阻(如图4)在实际产品生产测试中可能由于接触不良造成打火,以致有个别损坏,故把损坏的1/2W 100欧 R-MOF电阻换成1/2W 47欧 R-KNP电阻进行实验验证,以±2000V测试,也可通过,由此可大概判断,同一机种在相同的测试条件下,R-KNP电阻耐受性要好于R-MOF电阻,在防浪涌电路设计中R-MOF电阻看来非首选。

最后再强调一下,以上测试均为我司实验室测试,SURGE测试标准仅代表我司实验室测试标准,大家不应以此作为自己产品测试标准依据,若以我司此标准测试,所造成的后果需自我承担。

绕线电阻和金属膜电阻的区别

金属膜电阻:是在真空中加热合金,合金蒸发,使瓷棒表面形成一层导电金属膜。改变金属膜的厚度可以控制阻值。这种电阻和碳膜电阻相比: 体积小、噪音低、稳定性好,但成本较高,金属膜电阻色彩亮丽,又可细分为高频、高压、精密的多种类型。多应用在精度要求较高的场合。

线绕电阻 线绕电阻器阻值精确、工作稳定、温度系数小、耐热性能好、耐高压冲击短时间过负载性能好、散热快、功率较大但其电阻值较小,分布电感和分布电容较大,制作成本也较高。适用于低频且精确度要求高的电路。

6:R-KNP绕线电阻检验规范

再次感谢旺旺兄提供的案例!

分享一些踩坑案例给大家,大家有遇到类似的情况也可以分享给芯片之家。关于电子软硬件的学习,希望大家enjoy!您的点赞转发就是我继续创作的最佳动力!
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