“模”力超群再创新高！比亚迪半导体推出1200V1040A高功率SiC模块

相较于市场主流的SiC功率模块，1200V 1040A SiC功率模块成功克服了模块空间限制的难题，在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分发挥了 SiC 功率器件的高效、高频、耐高温优势。

1200V 1040A高功率SiC模块

作为比亚迪半导体当前最高功率的SiC模块，这款产品充分展现了比亚迪半导体对高效率的极致追求，后续也将匹配更高功率新能源汽车平台应用，充分发挥其大功率优势。

▌双面烧结工艺助力功率提升

1200V 1040A SiC功率模块，采用了双面烧结工艺，即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接，具备更出色的工艺优势与可靠性。

Ø 芯片下表面烧结工艺，连接层导热率与可靠性提高

SiC MOSFET芯片下表面采用烧结工艺，相比传统焊接工艺模块，连接层导热率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；

Ø 芯片上表面烧结工艺，提升模块工作结温

芯片上表面采用烧结工艺，因烧结层具有的高耐温特性，SiC 模块工作结温可提升至175℃，试验证明，其可靠性是传统工艺的4倍以上。

功率模块封装中几种上表面工艺的优劣对比

▌高效率、高集成、高可靠性方向不断前进

比亚迪半导体致力于共同构建车规级半导体产业的创新生态，助力实现车规级半导体产业实现自主安全可控的目标。公司不断加强科技创新能力，重视基础科学研究和工艺创新，上下游产业链协同合作实现产品性能最优比，以车规级半导体为核心持续拓展下游应用场景。

车规级半导体整体解决方案

在功率半导体方面，经过多年的技术积累及发展整合，比亚迪半导体已成为国内少数能够实现车规级功率半导体量产装车的IDM厂商之一，形成了包含芯片设计、晶圆制造、模块封装与测试、系统级应用测试的完整产业链。同时比亚迪半导体拥有突出的科技创新能力，所生产的车规级功率半导体已在新能源汽车厂商中得到充分验证并进行了批量应用，在车规级功率半导体领域实现自主可控及重大突破。

自2005年布局功率半导体领域以来，比亚迪半导体筚路蓝缕，一步一个脚印，先后在功率芯片发布完全自主研发的2.5代、4.0代、5.0代车用IGBT技术，并于2022年自主研发出最新一代精细化沟槽栅复合场终止IGBT6.0技术，产品性能及可靠性大幅提升，达到国际领先水平。

 IGBT晶圆

此外，在模块封装方面，比亚迪半导体也勤勤恳恳、不懈努力，迄今已成功开发出一系列拥有完全自主知识产权的功率模块，累计装车量和国内市占率遥遥领先。

作为国内首批自主研发并批量应用车规SiC功率模块的半导体公司，比亚迪半导体以高效为核心，重点提升功率半导体效率，降低功率损耗；以智能、集成为核心，重点提高关键芯片智能化程度，满足车规级高控制能力需求，最终达到集成化方案和协同化应用的高度融合，使整车在定义智能化汽车当中实现所有的功能协同应用。

后续，比亚迪半导体在功率半导体领域将持续深耕，在提高产品技术、完善产品系列等加强自身能力技术的基础上同步实现产品的优化升级，不断优化提升功率器件及模块性能，向高效率、高集成、高可靠性方向继续前行。