《射频氮化镓（GaN）产业现状-2026版》

MEMS 2026-01-15 07:00

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RF GaN 2026

射频（RF）氮化镓（GaN）供应链仍由集成器件制造商（IDM）主导，强劲的军事国防需求、中国本土化策略以及行业整合正重塑全球竞争格局。

RF GaN市场规模预计到2031年将增长至24亿美元

如今的5G通信和未来的6G通信推动了移动设备对集成射频前端（RFFE）的需求。在基础设施领域，5G大规模多输入多输出（MIMO）天线需要GaN器件——其正逐渐取代LDMOS，用于功率放大器（PA）。军事国防系统依赖宽带和高频RF器件，GaN在雷达、电子战和卫星通信领域的应用日益增长。

本报告分析了2025年至2031年RF GaN供应链及技术发展趋势。根据Yole预测，RF GaN市场规模将从2025年的13亿美元增长至2031年的24亿美元，复合年增长率（CAGR）为11%。

2025～2031年RF GaN器件市场规模预测

电信基础设施：2025年在GaN器件总市场中占比约40%，预计到2031年将增长约11%。东南亚正持续部署5G基础设施，基站正进行升级以提高效率，6G有望在这个十年末问世。碳化硅衬底上氮化镓（GaN-on-SiC）仍是主流技术。

移动领域：砷化镓（GaAs）在移动设备的7 GHz以下频段PA中占据主导地位。鉴于硅衬底上氮化镓（GaN-on-Si）目前的大规模应用现状，其不太可能在FR1手机功率放大器市场上成为GaAs的竞争对手。然而，随着即将到来的FR3网络部署，当频率超过10 GHz时，GaN-on-Si在提升功率效率以及实现潜在更宽频段运行方面可能具有吸引力。

国防领域：预计2031年国防RF GaN市场将增长约10%。军用雷达和电子战是主要增长驱动力，相关研究涉及金刚石衬底上氮化镓（GaN-on-diamond）。

卫星通信：GaN器件主要用于地面甚小孔径终端系统，正从GaAs不断挖掘市场份额。卫星发射次数的增加可能会推动RF GaN器件在低地球轨道卫星中的应用。

中美在RF GaN领域展开竞争，欧盟是否已经落后？

截至2026年，RF GaN供应链仍以IDM厂商为核心，由代工厂、无晶圆厂企业和外延片供应商提供支持，其发展受到严苛的军事国防及高功率电信需求的推动。2025年的RF GaN器件市场集中度较高，SEDI、Qorvo和MACOM占据了近一半的市场营收。MACOM已获得HRL公司40 nm T3L GaN-on-SiC技术的授权。相比之下，由于电信需求疲软，恩智浦半导体（NXP）计划退出RF GaN和LDMOS领域，而Skyworks与Qorvo的官宣合并，旨在打造一家大型美国RF企业，并整合制造产能。此外，中国正快速推进RF GaN价值链的本土化，以天岳先进、能讯半导体、三安集成等本土企业为引领，尽管地缘政治风险持续存在，仍在扩大低成本6英寸晶圆的产能。

2026年RF GaN不同生态系统的市场动态

在防务领域，GaN的应用由MACOM、Qorvo、Raytheon、Northrop Grumman和中国电子科技集团主导，美国国防部信任的生态系统保持稳定，而RFHIC和稳懋半导体等厂商正朝全球防务市场拓展。

在电信领域，华为、爱立信（Ericsson）、诺基亚（Nokia）、中兴通讯和三星（Samsung）在基站部署方面占据主导地位，而制裁加速了中国国内RF GaN供应链的发展。向更高功率、基于模块的5G无线电的转变，正提升人们对具有成本效益的GaN-on-Si的兴趣，加剧了其与GaN-on-SiC的竞争，同时SiC晶圆市场仍较为集中，产能扩张受限。

GaN-on-SiC已被证实，GaN-on-Si前景广阔，其它都是一场豪赌

凭借高功率密度和卓越的热性能，GaN-on-SiC仍然是5G电信和国防领域首选的RF技术。从4英寸向6英寸晶圆的过渡仍在继续，但进展比预期更为缓慢。与此同时，受小型基站部署和8英寸晶圆生产的推动，GaN-on-Si器件于2023年开始有限供应5G基站；如果电信需求和6G FR3的采用成为现实，到2030年代初有望转向12英寸晶圆。GaN-on-SiC仍是最成熟的RF平台，而GaN-on-Si正逐步实现产业化，但必须具备更强的成本竞争力。氮化铝衬底上氮化镓（GaN-on-AlN）和GaN-on-diamond受限于高成本、制造复杂性以及漫长的认证周期，仍处于研发阶段。