年度潜力第三代半导体技术-投票-2025年度全球电子成就奖-EET电子工程专辑

Infineon Technologies

获奖理由：技术特征英飞凌推出的CoolGaN™ G5中压晶体管是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过集成肖特基二极管，显著降低了反向传导损耗，优化了硬开关应用中的性能。其采用3 x 5 mm PQFN封装，电压等级为100 V，导通电阻为1.5 mΩ。主要优势提高效率：减少死区损耗，提升系统整体效率。简化设计：集成肖特基二极管，降低用料成本，简化功率级设计。增强兼容性：与更多高边栅极驱动器兼容，放宽死区时间，简化设计。与竞争对手相比的特点集成优势：减少外部元件使用，降低设计复杂性和成本。性能提升：更好地管理反向传导损耗，实现更高效率。设计灵活性：与更多控制器兼容，提供更大的设计灵活性。对电子设计领域及中国电子产业的潜在影响电子设计领域：提供更高效的电源解决方案，简化设计，提升系统性能和可靠性。中国电子产业：推动技术创新，促进产业升级，提升产品竞争力，满足高效能市场需求。英飞凌的CoolGaN™ G5晶体管不仅在技术上具有显著优势，还为电子设计领域和中国电子产业的未来发展提供了积极的推动作用。

查看详情请投我一票

上海瞻芯电子科技股份有限公司

InventChip Technology Co.,Ltd.

获奖理由：一、技术优势工艺迭代优化: 第3代平面栅SiC MOSFET工艺通过缩小元胞的Pitch（单元间距），显著提升了器件密度。在保证器件耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻（Rsp）降低至2.5mΩ·cm²，达到国际一流水平。高温性能的提升: 第3代产品的导通电阻(Ron)温度系数明显降低，在高温下保持稳定的低损耗。例如，第3代1200V SiC MOSFET的Ron在驱动电压为15V时，175°C 高温下的仅为常温（25°C）的 1.42倍；当驱动电压为18V时，该比值为 1.65倍，而市场其他产品几乎都在2倍以上。二、产品技术规格高可靠性标准: 全系列产品按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证。关键产品，如首款1200V 11mΩ 大电流SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z），还增加更严格的极端性能测试验证。全系列规格: 具有650V、750V、1200V，1400V和3300V电压平台，满足不同行业多种母线电压的需要；导通电阻覆盖11mΩ~150mΩ，满足从高中低功率段的需求；创新封装: 1）更低寄生电感的TO247-4Slim封装，有利于降低损耗，更大引脚间距，降低焊接短路风险；2）TC3Pak和SMPD顶部散热封装，可简化散热设计，压缩系统体积，支持自动化表面贴装。三、多领域应用突破第3代1200V SiC MOSFET批量交付多家知名光伏、充电桩客户应用，还获得多家客户车载电驱的项目定点。截至2025年7月，第3代SiC MOSFET累计交付近300万颗，获得市场充分验证与认可。

查看详情请投我一票

镭昱光电科技（苏州）有限公司

Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited

获奖理由：在AI+AR眼镜市场快速发展的当下，高度可量产的全彩化方案始终是Micro-LED微显示领域的核心挑战。镭昱通过自研的量子点光刻技术取得重大突破，该技术创造性融合了量子点材料的高光效特性与光刻工艺的高分辨率优势，通过标准半导体工艺实现子像素的精细图形定义，在不足火柴头大小的微显示屏上攻克了单片全彩显示的技术难关，为全彩Micro-LED微显示提供了目前业界最可行的高良率量产方案。其创新成果PowerMatch® 1全彩Micro-LED微显示屏屏幕尺寸为0.13英寸,具备多项突破性指标，实现4微米超小像素间距，Micro-LED像素密度高达6350PPI，全彩分辨率为320×240（Micro-LED分辨率为640×480），峰值全彩亮度可达50万尼特。同时，结合了更优的发光材料、自研的色彩驱动算法、独特的光串扰消除技术以及对比度提升技术，PowerMatch® 1系列实现了108.5% DCI-P3的广色域和高色纯度，呈现出卓越的色彩表现力。相较于传统基于三色合光方案的全彩Micro-LED光引擎（约0.4cc），镭昱的单片全彩方案将光引擎体积大幅缩减55%至0.18cc，创造了行业新纪录，为消费级AR眼镜提供了极致轻薄的显示解决方案，促进AR眼镜向更接近普通眼镜的形态进化，并将在未来改变人们的工作和生活方式。镭昱的创新不仅为微显示技术开辟了新的发展方向，还将推动整个微显示行业在精度、色彩、亮度和能效等方面的全面革新。

查看详情请投我一票