获奖理由:
氮矽科技的DXC3510S3CA是一款高度集成的氮化镓(GaN)功率驱动芯片,专为高频高效应用设计。该芯片采用创新架构,将100V耐压、12mΩ导阻的E-mode GaN HEMT与栅极驱动器集成于单一封装,大幅简化外围电路设计。其0-20V宽输入电压范围确保在复杂供电环境下的稳定工作,MHz级开关频率特性显著提升系统功率密度和响应速度,同时降低开关损耗。相较于传统硅基方案,该芯片在效率、体积和热管理方面具有显著优势,能将PCB面积缩减50%以上,发热降低30%,为小型化消费电子设备带来革新。
在应用领域,DXC3510S3CA已成功实现商业化落地,首秀于极萌超声美容仪,通过高频精准的超声波驱动技术实现院线级护理效果。除个护设备外,其应用场景还涵盖同步整流、高频DC-DC转换、电机驱动、D类音频放大及无线充电等领域。与Navitas等国际GaN方案相比,该芯片在集成度和本土化服务方面更具优势,既保留了氮化镓器件的高频特性,又通过系统级优化降低了客户的设计门槛。