年度功率半导体/驱动器产品-投票-2025年度全球电子成就奖-EET电子工程专辑

产品：A89224 48V SoC

获奖理由：提名原因： 1. 卓越的集成解决方案： A89224 将高性能处理器、电机控制功能和通信接口集成在一个芯片上，为复杂的电机控制应用提供了一站式解决方案，极大地简化了客户的设计流程和物料清单 (BOM)。 2. 针对新兴 48V 系统的优化：随着 xEV 和 AI 数据中心等应用中 48V 系统的普及，A89224 凭借其高达 90V 的能力和针对 48V 系统的优化设计，提供了高效且可靠的解决方案，满足了市场对更高功率和更高效率的需求。 3. 领先的电机控制性能：采用优化的 FOC 算法和单分流电流测量，A89224 实现了业界领先的低噪声和精确速度控制，这对于提升电机系统的效率、降低振动和噪音至关重要，尤其是在对性能要求严苛的汽车热管理应用中。 4. 加速客户创新： A89224 提供全面的 SDK 和易于使用的 FOC 控制库，显著降低了客户的开发难度和时间，使他们能够更快地将创新产品推向市场。 5. 成本和空间效益：高度的集成减少了对外部组件的需求，不仅降低了系统总成本，还节省了宝贵的 PCB 空间，这在空间受限的汽车应用中尤为重要。

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苏州国芯科技股份有限公司

产品：48V安全气囊点火芯片CCL1800B

获奖理由： CCL1800B是全球首颗48V安全气囊点火芯片，具有高度集成、系统设计简化、宽压与系统设计无缝兼容、高可靠性与安全性等优势，能够实现毫秒级的故障检测，保障安全气囊“零误爆、零漏爆”。芯片工作电压覆盖28V至60V，耐压能力超过70V，保障主机厂可以在现有12V平台控制系统的基础上，将安全系统升级至48V，有效降低研发与平台切换成本。 CCL1800B 是汽车安全气囊点火驱动专用的集成系统 IC，可支持 48V 电源系统，该芯片将电源模块、气囊点火模块、传感器接口模块和复杂的安全模块等模块集成在一个芯片上，可以与微控制器组成高度紧凑的双芯片安全气囊控制器解决方案。主要特性有： ➢供电电压 28V~60V，提供系统电源供电功能 ➢ 16 个气囊点火回路 ➢ 6 路 PSI5 接口 ➢ 10 路 AIN 接口 ➢ 2 路 AIO 接口 ➢ 安全控制功能 ➢ 内部集成 CAN 收发器，支持 CANFD ➢ 关键引脚耐压超过70V ➢ AEC-Q100 G1 ➢ ISO 26262 ASIL D CCL1800B提供 VST50(5V)、 VST33(3.3V)、 VCORE(1.29V/3.3V)、 VSVT33(3.3V) 电源可为 CAN 收发器、 ECU 内部传感器等器件供电， VSVT33 电源指令可控。可通过 SPI 编程配置不同点火模式： ⚫ 模式 1：点火电流 1.85A，时长 0.7ms ⚫ 模式 2：点火电流 1.75A，时长 0.5ms ⚫ 模式 3：点火电流 1.2A，时长 2ms 集成 6 个 PSI5 接口，每个接口最多支持 4 个 slot，用来采集外围加速度传感器的数据，支持 10 个 AIN 接口,，用来安全带和座椅的检测，支持 2 个 AIO 接口，用于碰撞时车门解锁的功能，引脚最大耐压超过 70V，完全可以支持低压48V电压系统的应用。相比同类的驱动芯片，有集成度高，可靠性高和安全性高的特点。

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意法半导体

产品：意法半导体IGBT HB系列 -具有650V/50A TO3PF高速TFS的 STGFW50HP65FB2

获奖理由：凭借 ST 工艺稳定,性能卓越的 HB2 系列 IGBT，这款新封装在绝缘的 TO3PF 中的产品可以帮助我们的客户降低组装成本。因此，这款 IGBT 适用于空调功率因数校正/焊接和其他电源应用。 *产品特点 • 最高结温：TJ = 175 °C • 低VCE(sat) = 1.55 V（典型值）@ IC = 50 A • 共封装保护二极管 • 最小尾电流 • 参数分布紧密 • 低热阻 • 正VCE(sat) 温度系数，易并联 *应用领域 • 焊接 • 功率因数校正以下是主要优势和突出特点： 1. 高效率与低功耗损失 • 超快速沟槽栅™ IGBT 技术 • 针对低导通和开关损耗进行优化，提高高频应用中的效率 • 低 VCE（饱和电压）（典型值为 25°C 时 50A 电流下 1.55V），减少导通损耗 • 快速开关速度 2. 强大的热性能 • 低热阻(Rth JC= 1.59°C/W) • 高效的散热，允许在不 overheating的情况下处理更高的功率 • 宽广的工作温度范围（-40°C 到 +175°C） • 在恶劣环境下可靠的性能 3. 增强可靠性的综合特性 • 共同封装超快速二极管（反向并联二极管） • 低反向恢复电荷（Qrr），降低感性负载应用（如电动机驱动）的开关损耗 • 在故障条件下提高了稳健性 4. 优化用于工业和汽车应用 • 高电流能力（连续50A，脉冲100A） • 适用于高功率转换器、不间断电源（UPS）、焊接机和电动汽车充电系统 • 650V 击穿电压（V CES） 5. 紧凑易用的包装 • TO3PF封装 • 便于PCB安装和散热器附加的行业标准封装 • 适用于高振动环境的良好机械强度总结：为什么选择STGFW50HP65FB2？ • 一流的效率（低V CE（饱和）+ 快速切换） • 高可靠性（宽温范围，广泛认证的HB2 IGBT工艺平台） • 集成二极管简化设计

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英飞凌科技股份公司

产品：EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V1.4mΩ 半桥模块

获奖理由：英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。产品特点  开关损耗低  卓越的栅极氧化物可靠性  更高的栅极阈值电压  更高的功率输出  坚固耐用的集成体二极管  高宇宙射线稳健性  高速开关模块  Tvj(op)=175°C过载  PressFIT引脚  螺母功率端子  集成NTC温度传感器  隔离基板应用价值  开关频率高  减少体积和尺寸  降低系统成本  热效率高竞争优势  高开关频率（>7kHz）  针对高速电机进行了优化应用领域  商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)  储能系统  通用电机驱动器-变频和变压  电机控制  不间断电源(UPS)  电动汽车充电  制氢

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英飞凌科技股份公司

产品：第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 分立器件以及1200V Easy 模块

获奖理由： CoolSiC™ MOSFET G2系列产品特点  开关损耗极低  更大的最大VGS范围，-10V至+25V  过载运行温度最高可达Tvj=200°C  最大短路耐受时间2µs  栅极阈值电压4.2V 应用价值  更高的能源效率  优化散热  更高的功率密度  新的稳健性性能  高可靠性  容易并联竞争优势：  性能增强：开关损耗更低，效率更高  .XT互连技术：热阻更低，MOSFET温度更低  市场上同类最佳的最低RDS(on）  数据手册上保证的短路最大承受时间  独特的坚固性 1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装面对高母线电压应用进行了优化设计，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景，该系列产品的功率管脚加粗至2mm，使得器件能够承受更大的电流，背板回流焊的设计，提升了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。 CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 1200V 碳化硅模块全新封装，业内首发业内首发的1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy模块采用全新封装实现更低的功率损耗，同时，具备更高的工作虚拟结温，支持更长的系统寿命要求，为设备在恶劣环境下的长期稳定运行提供了有力保障。

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纳微达斯（无锡）半导体有限公司

产品：高功率车规GaNSafe™氮化镓功率芯片

获奖理由：作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。其主要特点如下： •受保护的、集成闸极驱动控制，零闸极-源回路电感，可靠的高速2 MHz开关能力，以最大化提升应用的功率密度。 •快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。 •静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体管为零。 •650 V连续和800 V瞬时耐电压能力，有助于提升芯片在特殊应用条件下的鲁棒特性。 •易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4个引脚，加速客户设计。 •可调节的开启和关闭速度（dV/dt），简化EMI的规范要求。 2025年，纳微半导体的GaNSafe氮化镓功率芯片通过了AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。同时，国内头部一线车企也已采用纳微的GaNSafe氮化镓功率芯片，打造了全球首个商用的氮化镓车载充电机（OBC）。

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威世科技

产品：SOT-227封装SiC肖特基二极管

获奖理由： Vishay新推出16款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管，旨在为高频应用提供高速和高效率。在同类二极管中，这些器件在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。这些器件包括40 A至240 A的并联双二极管组件，以及50 A至90 A单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相比，这些器件具有更好的反向恢复参数，几乎没有恢复尾电流。这些器件的典型应用包括AC/DC功率因数校正（PFC），以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源（UPS）和电信电源的反激式（FBPS）和LLC转换器中的DC/DC超高频输出整流。在这些应用环境下，二极管QC低至56 nC，可实现高速开关，其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。这些二极管可在高达+175 C高温下工作，并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过UL E78996认证，其特点是端子之间具有较大的爬电距离，以及简化的机械设计，便于快速组装。

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深圳市必易微电子股份有限公司

产品：三相无感直流无刷电机驱动芯片KP93102

获奖理由： KP93102是一款无需霍尔传感器的三相无刷直流电机驱动芯片。其内置反电动势检测算法用于检测转子位置，无需霍尔传感器；单芯片集成了控制算法和驱动电路，大幅简化外围电路设计；采用类正弦三相驱动算法确保输出电流的高正弦度，有效降低了电机运行的噪音和振动，非常适合于高效、静音的应用场景；支持PWM占空比和直流电压两种调速模式，且支持超宽PWM信号(0.1kHz ~ 50kHz)识别，适配多种应用场景；当PWM信号持续低电平20mS后，可自动进入超低功耗待机模式；芯片内置4种启动模式，充分兼顾电机在缓慢启动与快速启动等不同场景下的启动需求；采用极简外围电路（2个电阻）可设定PWM调速斜率、最低转速和停转转速控制占空比；具有FG、1/2FG、1/3FG以及RD等多种转速反馈模式；具有欠压、过流、过温、堵转、锁死重启、过压等完备保护功能，大大提高了芯片的可靠性。

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安世半导体

产品：创新型铜夹片CCPAK1212封装 NextPower 80/100 V MOSFET

获奖理由： Nexperia推出了16款新型80 V和100 V功率MOSFET，采用其紧凑而创新的CCPAK1212铜夹封装，树立了功率密度和器件整体性能的新标杆。该产品旨在满足对功率需求较高的应用，尤其适用于电机控制、电源、电池管理系统（BMS）和可再生能源基础设施等领域。这些MOSFET提供顶部和底部散热选项，为工程师在高功率负载下有效管理热性能提供了灵活性和可靠性。 CCPAK1212设备卓越性能的关键在于其内部铜夹结构。与传统使用线键合的封装不同，这些MOSFET采用了一种结构，其中功率MOSFET的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。这种结构显著降低了导通电阻和寄生电感，从而实现了卓越的电气性能和增强的热管理。消除线键合进一步提高了电流承载能力和可靠性。这个新系列中的佼佼者是 PSMN1R0-100ASF，这是一款 100 V MOSFET，具有 0.99 mΩ 的极低导通电阻。它可以能够承载460 A电流并达到1.55 KW耗散功率，所有这些都在一个紧凑的仅占用12mm×12mm的电路板空间中完成。其对应的 PSMN1R0-100CSF 提供类似的规格，但针对顶部散热进行了优化。除了通用功率器件外，该系列还包括为 AI 服务器中的热插拔功能开发的专用 MOSFET （ASFET）。这些 ASFET 提供增强的安全工作区（SOA），确保在具有挑战性的线性模式转换期间稳定运行，并提高高性能计算环境中的系统稳健性。 CCPAK1212 封装的小尺寸和热效率可帮助设计人员减少大电流设计中所需的并联 MOSFET 数量，从而简化系统架构并实现更紧凑、更具成本效益的解决方案。双重散热选项还允许灵活的散热策略，当基于 PCB 的热路径受到其他敏感元件的限制时，这一点尤其有价值。为了支持设计人员，所有器件都带有 JEDEC MO-359 标准注册，确保广泛的兼容性和在新设计中更容易采用。Nexperia 还提供广泛的设计导入工具，包括热补偿仿真模型和交互式Datasheet。这些数据表超越了传统的 PDF，提供了“图形到 CSV”导出等功能，使工程师能够快速有效地分析器件特性。展望未来，Nexperia 旨在扩展 CCPAK1212 封装以支持更广泛的电压范围，包括符合 AEC-Q101 标准的汽车级器件。此举使 Nexperia 能够满足各种下一代系统对高效率、高可靠性 MOSFET 日益增长的需求。

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元能芯科技（深圳）有限公司

产品：全集成端侧AI芯片All-in-One—MYi0003V0405

获奖理由：元能芯重磅推出了一款国内少有的全集成明星产品【聚于一芯卓尔不凡】--MYi0003V0405。该产品集MCU、Driver、MOSFET于一体，集成式设计可将整个板子面积至少缩小50%以上，完美解决体积、贴片、散热等痛点，广泛应用于风机、小水泵，及汽车热管理系统，给客户提供更好的可靠性之外，还有降成本优势。产品内阻约55毫欧，在电流一样的情况下，友商同类产品产生的热量至少是元能芯产品的3-5倍。能够有效较低终端在散热和电路板面积方面的难题，解决终端设备因过热而引发产品故障、寿命缩短的问题；满足终端设备小型化的需求。基于该产品开发的方案能将复杂的电路板从双面、四层板优化成单面板，客户可以快速生产出性能稳定、高良率的产品。

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万国半导体元件（深圳）有限公司

产品：高功率DC-DC应用设计新方案：DFN3.3x3.3源极朝下封装技术 AONK40202

获奖理由： AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极朝下（Source Down）封装技术，相比传统的漏极朝下（Drain Down）封装解决方案，降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能，为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势。AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案。更多产品信息： https://www.aosmd.com/news/alpha-and-omega-semiconductor-introduces-25v-mosfet-dfn33x33-source-down-packaging-meets-power

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万国半导体元件（深圳）有限公司

产品：Mega IPM7系列智能电源模块

获奖理由： · 600V/1A-600V/3A · 紧凑型封装：18mm x 7.5mm · DBC技术 · 用于电机驱动的三相RC-IGBT逆变器拓扑 · 集成HVIC栅极驱动器，包括自举电路 · 集成过温保护和监控功能

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东芝电子元件（上海）有限公司

产品：4通道高速磁隔数字隔离器DCL541L01

获奖理由：中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。想要确保工厂自动化设备的安全性和可靠性，需要隔离器件来确保绝缘并防止噪声传播。东芝提供了数字隔离器解决方案，以满足工业应用在更高速度、多通道信号通信以及高CMTI方面的要求。新产品采用东芝专有的磁耦合式绝缘传输方法，可提供100kV/μs（最小值）的高CMTI[1]。这不仅实现了隔离信号通信中输入／输出间电气噪声的高容限，而且也有助于稳定的控制信号传输和设备运行。数字隔离器具有0.8ns（典型值）的低脉宽失真[2]和150Mbps（最大值）的高速数据速率，适用于多通道高速通信应用，如用于SPI通信的I/O接口。东芝标准数字隔离器的结构是利用芯片内的氧化膜进行绝缘。因此，可通过应用与MOSFET栅极氧化层随时间击穿相同的概念（TDDB：与时间相关的电介质击穿[注1]）来预测标准数字隔离器的隔离寿命。 “用于基本隔离和加强隔离的磁耦合器和电容耦合器”[注2]已由国际安全标准标准化，标准号为IEC 60747-17: 2020（第1版）和VDE V 0884-11，并规定了上述TDDB的测试条件。 DCL54x01系列符合VDE V 0884-11标准，应用增强隔离至最大工作隔离电压VIORM＝1.0kVrms[注3]。在1.2kVrms条件下进行TDDB测试，安全系数（1.2）乘以加强隔离所需的上述VIORM。此外，在加强隔离所需的1ppm不良率外推线上，1.2kVrms条件下的寿命确定点为37.5年[注4]. 作为参考，除了测试上述VDE认证所需的最短额定寿命外，我们预测在测试电压的加速条件下，隔离寿命为70年或更长，超过了VDE规格。特性 • 高共模瞬态抑制：CMTI＝100kV/μs（最小值） • 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值） • 低脉宽失真：PWD＝0.8ns（典型值）(VDD1＝VDD2＝5V) • 传输延迟时间tPHL，tPLH典型值（ns）= 10.9 ns • 四通道：正向三通道和反向一通道

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罗姆

产品：SiC塑封型模块“HSDIP20”

获奖理由：罗姆的4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC和LLC转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。 HSDIP20内置有散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制芯片的温升。事实上，在OBC常用的PFC电路（采用6枚SiC MOSFET）中，使用6枚顶部散热型分立器件与使用1枚6in1结构的HSDIP20模块在相同条件下进行比较后发现，HSDIP20的温度比分立结构低约38℃（25W工作时）。这种出色的散热性能使得该产品以很小的封装即可应对大电流需求。另外，与顶部散热型分立器件相比，HSDIP20的电流密度达到3倍以上；与同类型DIP模块相比，电流密度高达1.4倍以上，达到业界先进水平。因此，在上述PFC电路中，HSDIP20的安装面积与顶部散热型分立器件相比可减少约52％，这非常有利于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。

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宜普电源转换公司

产品：EPC2367

获奖理由： EPC2367是一款100V增强型氮化镓（eGaN^®）场效应晶体管，在先进电源转换应用中可提供业界领先的效率、开关速度和功率密度。其典型导通电阻（RDS(on)）仅为1.2毫欧，并具备超低栅极电荷（QG），专为高频高性能电源系统设计，有效弥补了传统硅基MOSFET的性能局限。该器件采用3mm x 5mm紧凑型热增强QFN封装，支持顶部散热设计，其布局可最大程度降低寄生参数影响，既能加速设计周期又能实现卓越的热管理性能。其开关频率可稳定工作于数MHz范围，特别适合追求系统小型化、瞬态响应优化和电磁干扰最小化的电源设计应用。主要特性： • 额定电压： 100 V • 典型导通电阻（RDS(on)）： 1.2 mΩ • 超低栅极电荷（QG）和输出电荷（QOSS），实现高速开关 • 无反向恢复电荷，低输出电容 • 顶部散热 QFN 封装（3 mm × 5 mm） • 专为高速、高效电源转换优化目标应用领域： • AI服务器、通信及工业计算领域的高密度DC-DC转换器 • 汽车激光雷达、机器人及3D传感系统——支持快速激光脉冲与紧凑型设计 • 对效率、尺寸及低失真要求严苛的D类音频放大器 • AI/GPU服务器板卡电源模块——优化供电效率并降低热负载 • 电池供电设备（机器人、无人机、电动滑板车等个人移动载具） • 可编程电源及精密实验室仪器——需快速低噪声开关特性竞争优势： • 显著降低开关损耗和导通损耗，实现更高系统效率 • 支持高频工作模式并减少被动元件需求，助力系统小型化 • 采用顶部散热设计且发热量更低，简化热管理方案 • 瞬态响应速度更快，可显著提升动态系统的调节精度综上所述，EPC2367代表了氮化镓技术的又一次突破性进展——它以紧凑易用的封装形态提供业界领先的性能，助力工程师轻松满足复杂电力系统的设计需求。

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瑞能半导体科技股份有限公司

产品：瑞能顶部散热产品系列 - WNSC2M40075TB-A & WNSC2M75120TB-A series

获奖理由：瑞能半导体推出一系列顶部散热型表面贴装碳化硅器件，封装包括TSPAK和TOLT，产品覆盖SiC肖特基二极管与MOSFET，构成完整的产品阵容。相较于传统底部散热型表贴功率器件，顶部散热封装为客户提供了更为灵活的热管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潜力。基于顶部散热的封装设计，可以使功率器件热量直接向散热器传递，不必经过PCB的热过孔，显著降低结到散热器热阻约17%~19%，帮助提升电路性能或减小功率器件选型降低成本。同时，PCB设计可以采用更灵活的电流路径规划，取消热过孔或PCB散热覆铜面积后，可以获得最小的电流环路面积和极低的线路寄生感抗，使开关损耗和EMI辐射水平也降到最低，缩短产品EMC调试时间和成本。采用顶部散热封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247等传统直插型封装，还具有基于SMD的PCB组装方式，同时避免依次安装绝缘衬套紧固螺丝，实现高效制造流程的额外优势。瑞能提供丰富的顶部散热产品选择和组合模式，工规与车规产品均有规划。可以应用于OBC，充电桩模块，服务器电源，光伏逆变器等各种功率变换设备，帮助产品设计提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。 TOLT封装提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。 TSPAK产品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。

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英诺赛科

产品：100V双面散热氮化镓功率器件

获奖理由：主要特征：INN100EA035A是一款100V InnoGaN 功率器件，采用先进的双面散热 En-FCLGA 封装，具有低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及零反向恢复电荷等特点；规格：100V/3.5mΩ，En-FCLGA3.3X3.3 封装；应用领域：AI与48V电源领域（DCDC转换器，DCDC电源模块等）主要优势：INN100EA035A采用先进的双面散热 En-FCLGA 封装，与传统的单冷却封装相比，导热率高出 65%；与传统的MOSFET方案相比，功率密度提升20%；与业界最先进的MOSFET相比，系统功率损耗可降低大于35%。

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万国半导体元件（深圳）有限公司

产品：高功率DC-DC应用：AONK40202源极朝下封装技术

获奖理由：

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英飞凌科技（中国）有限公司

产品：EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V 1.4mΩ 半桥模块

获奖理由：

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安世半导体

产品：行业领先的顶部散热型X.PAK封装的1200 V SiC MOSFET

获奖理由：具有低导通电阻RDS(on)的SiC MOSFET开关可降低器件发热导致的功率损耗，这意味着它们能承受更高电流，从而实现更高的功率密度。而Nexperia SiC MOSFET相较于其他厂商器件的显著附加优势在于：即使应用温度升高，其导通电阻RDS(on)仍保持高度稳定。这一特性在电动汽车车载充电器（OBC）等典型开关频率达60 kHz或更高的应用中尤为有利。该稳定性是通过补偿器件内部部分正温度系数来实现的，从而形成更平坦的导通电阻曲线（图1）。例如，Nexperia某款导通电阻为40 mΩ（25 °C时）的SiC MOSFET，当工作温度升至175 °C时，其阻值仅增长1.5倍（约 60 mΩ）。相比其他竞争器件通常呈现2倍增长（达80 mΩ或更高）、必须降额使用的情况，这是显著改进。Nexperia SiC开关卓越的温度稳定性意味着工程师在相同功率应用中可使用更少器件。例如，40 mΩ的D2PAK封装MOSFET在最高工作温度下可输出近9 kW功率，而更小尺寸的30 mΩ器件更能提供高达11.5 kW功率。 X.PAK顶部散热封装为设计带来更高自由度虽然当前功率水平已令人瞩目，但采用Nexperia新一代顶部散热（TSC）封装的开关器件可实现更高功率输出。其内部芯片相同，但通过热界面材料实现顶部散热——这种散热方式比通过安装器件的PCB板散热高效得多。例如，当40 mΩ D2PAK封装的MOSFET在输出7.5 kW功率时工作温度约为115 °C，而相同规格的TSC器件工作温度可低至75 °C，降幅达40 °C。仅通过改变散热方式，就能将功率性能进一步提升。以典型3.5 kW充电器为例，这种改进的散热方案可将电动汽车充电时间从1小时缩短至40甚至30分钟。设计者还可选择提高充电器的开关频率，从而减小所需无源元件（尤其是磁性元件）的尺寸。这不仅有助于降低整体方案成本，更小的无源元件还能缩减充电解决方案的体积和重量——这对空间受限的电动汽车和电量有限的电池系统尤为重要。电流承载能力更强的SiC MOSFET开关还具有另一优势：由于发热量更低，其实际使用寿命更长，这在电动汽车和太阳能光伏等需要多年可靠运行的高价值应用中至关重要。此外，对于低功率应用，设计者可选用导通电阻RDS(on)更高的MOSFET——这类器件通常采用更小尺寸芯片，能提供更具成本效益的解决方案。

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安森美

产品：采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

获奖理由：安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU设计中非常受欢迎，有助于实现下一代20 kW系统，以创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性，解决了AI领域大电流、高功率场景的核心痛点。关键特性与优势包括： • Combo JFET的设计旨在让用户能够分别独立控制MOSFET和SiC JFET的栅极。 • 超低导通电阻Rds(on)：采用SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm，显著降低导通损耗，提高能效。 • 更高的峰值电流I(dm)：峰值电流对于电路保护应用至关重要，而高 I(dm)的UG4SC075005L8S正是实现这一目的的理想选择。电路保护应用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越能力。 • 低热阻R(θJC)：安森美的UG4SC075005L8S采用银烧结裸片贴装技术，与大多数焊接材料相比，界面导热性能提高了六倍，从而在更小的裸片尺寸下实现相同甚至更低的结至外壳热阻R(θJC)。低R(θJC)有助于保持较低的结温，并确保更高的可靠性。 • 速度可控性：电路保护和多路并联应用的理想选择。通过降低关断速度来减少电压过冲，可加强电路保护，尤其是短路保护。易于并联，出色地平衡了开关损耗和动态电流平衡之间的性能。 • 结构简单，使用寿命长，无参数漂移 • 栅极驱动兼容性：支持使用成熟的硅基晶体管驱动器，无需专用驱动电路，简化系统设计，加快开发速度。

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瑞能半导体科技股份有限公司

产品：顶部散热封装TSPAK系列

获奖理由：

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北京集创北方科技股份有限公司

产品：LED驱动芯片ICND7001+ICND7201

获奖理由： ICND7001是车规级48通道LED恒流PWM驱动芯片，专为小尺寸Mini/Micro LED显示屏设计。单通道电流0.5-25mA，1-64任意扫，刷新率3840Hz+ ICND7201是一款专为LED扫描屏设计的车规级行驱动芯片，集成串行译码电路及功率PMOS管。ICND7201采用QFN16的封装型式，内部集成防烧功率管、消上鬼影、LED灯珠保护等功能。 ICND7001与ICND7201一套组合，共同驱动LED全部为自主设计： 1、ICND7001采用内置电阻控制输出电流，简化外部电路。 2、采用双沿触发设计，且无需外部提供GCLK，降低系统EMI。 3、ICND7001会缓存输入的16位数据并转化为灰阶输出，并通过优化PWM输出提高低灰显示一致性。 4、内部集成了LED开路检测,自建消隐电路及动态节能模块。 5、ICND7001内部采用了电流精确控制技术，可使片间误差低于±5.0%，通道间误差低于±5.0%。显示方面可以有效解决跨板色差，高对比耦合，低灰色块、偏色、麻点、第一行偏暗等问题。 ICND7201行驱动芯片功能，是将输入数据对应通道，按照命令打开。串行译码器：接收输入串行控制命令，并生成对应控制信号 PMOS&行消隐：行开关及行消隐模块（消除行寄生造成的上鬼影） Buffer：串行信号驱动输出 ICND7001  工作温度范围：Topr=-40-125°C  输出电流设定范围： 0.5～25mA@VDD=5V 恒定电流输出 0.5～18mA@VDD=4.2V 恒定电流输出 0.5～16mA@VDD=3.8V 恒定电流输出  电流精度通道间：±3.0%(典型值)，±5.0%(最大值) 芯片间：±3.0%(典型值)，±5.0%(最大值)  8 位电流增益调整：22%-200%  数据传输频率：Fmax=12MHz  供电电压：VDD=3.3～5.5V  能动态节能，消除无用功耗  消除 LED 开路十字架现象  LED 开路侦测  LED 短路侦测  有效解决低灰色块、偏色、麻点、第一行偏暗  有效解决高对比耦合、跨板色差 ICND7201 工作温度范围：Topr = -40-125°C  集成串行译码电路  集成8个功率PMOS 输出PIN，导通电阻100 mΩ  防烧功率PMOS管  LED显示屏消除上鬼影  改善LED显示屏灯珠短路造成的毛毛虫现象  集成防LED灯珠反向击穿稳压电路  支持最大持续电流 2.5A  最大功耗

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